ZW ՍԵՐԻԱ ԵՌԱԿՑՄԱՆ ԴԻՈԴԻ ԱՐՏԱԴՐԱԿԱՆ ՍՏԱՆԴԱՐՏ

Եռակցման դիոդի արտադրության մեջ Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co-ի կողմից կիրառված նորմատիվ հղումները հետևյալն էին.

1. GB/T 4023—1997 կիսահաղորդչային սարքերի և ինտեգրված սխեմաների դիսկրետ սարքեր Մաս 2. ուղղիչ դիոդներ

2. GB/T 4937—1995 Կիսահաղորդչային սարքերի մեխանիկական և կլիմայական փորձարկման մեթոդներ

3. JB/T 2423—1999 Էլեկտրաէներգիայի կիսահաղորդչային սարքեր – Մոդելավորման մեթոդ

4. JB/T 4277—1996 Էլեկտրական կիսահաղորդչային սարքի փաթեթավորում

5. JB/T 7624—1994 Ուղղիչի դիոդի փորձարկման մեթոդ

Մոդել և չափս

1. Մոդելի անվանումը. Եռակցման դիոդի մոդելը վերաբերում է JB/T 2423-1999 կանոնակարգերին, և մոդելի յուրաքանչյուր մասի նշանակությունը ներկայացված է ստորև բերված Նկար 1-ում.

20

2. Գրաֆիկական նշաններ և տերմինալի (ենթակետ) նույնականացում

Գրաֆիկական նշանները և տերմինալի նույնականացումը ներկայացված են Նկար 2-ում, սլաքը ցույց է տալիս կաթոդի տերմինալը:

211

3. Ձևը և տեղադրման չափերը

Եռակցված դիոդի ձևը ուռուցիկ է և սկավառակի տեսակը, իսկ չափի ձևը պետք է համապատասխանի Նկար 3-ի և Աղյուսակ 1-ի պահանջներին:

221

Նյութ Չափը (մմ)
  ZW7100 ZW12000 ZW16000/ZW18000
Կաթոդային եզր (Dmax) 61 76 102
Կաթոդ և անոդ Mesa (D1) 44±0.2 57±0.2 68±0,2
Կերամիկական օղակի առավելագույն տրամագիծը (D2առավելագույնը) 55.5 71.5 90
Ընդհանուր հաստությունը (A) 8±1 8±1 13±2
Լեռան դիրքի անցք Անցքի տրամագիծը՝ φ3,5±0,2 մմ, անցքի խորությունը՝ 1,5±0,3 մմ

Վարկանիշներ և բնութագրեր

1. Պարամետրի մակարդակ

Հակադարձ կրկնվող գագաթնակետային լարման (VRRM) շարքը նշված է Աղյուսակ 2-ում

Աղյուսակ 2 Լարման մակարդակ

VRRM(V) 200 թ 400
Մակարդակ 02 04

2. Սահմանային արժեքներ

Սահմանային արժեքները պետք է համապատասխանեն Աղյուսակ 3-ին և կիրառվեն ողջ աշխատանքային ջերմաստիճանի միջակայքում:

Աղյուսակ 3 Սահմանային արժեք

Սահմանային արժեքը

Խորհրդանիշ

Միավոր

Արժեք

ZW7100 ZW12000 ZW16000 ZW18000

Գործի ջերմաստիճանը

Tcase

-40-85

Միացման համարժեք ջերմաստիճան (առավելագույնը)

T(vj)

170

Պահպանման ջերմաստիճանը

Ծղ

-40-170

Կրկնվող գագաթնակետային հակադարձ լարում (առավելագույնը)

VRRM

V

200/400 թթ

200/400 թթ

200/400 թթ

200/400 թթ

Հակադարձ չկրկնվող գագաթնակետային լարումը (առավելագույնը

VRSM

V

300/450 թթ

300/450 թթ

300/450 թթ

300/450 թթ

Առաջադիմական միջին հոսանք (առավելագույնը)

IF (AV)

A

7100 թ

12000 թ

16000 թ

18000 թ

Առաջ (չկրկնվող) ալիքի հոսանք (առավելագույնը)

IFSM

A

55000

85000

120000

135000

I²t (առավելագույնը)

I²t

kA²s

15100 թ

36100

72000

91000

Մոնտաժող ուժ

F

kN

22-24

30-35

45-50

52-57

3. Բնութագրական արժեքներ

Աղյուսակ 4 Առավելագույն բնութագրական արժեքներ

Բնավորություն և պայման Խորհրդանիշ Միավոր

Արժեք

ZW7100

ZW12000

ZW16000

ZW18000

Առաջ գագաթնակետային լարման IFM=5000Ա, Տj=25℃ VFM V

1.1

1.08

1.06

1.05

Հակադարձ կրկնվող գագաթնակետային հոսանք Tj=25℃, Տj=170℃ IRRM mA

50

60

60

80

Ջերմային դիմադրություն Միացում-պատյան Rjc ℃/ Վ

0.01

0,006

0,004

0,004

Նշում. հատուկ պահանջների համար խնդրում ենք խորհրդակցել

Այնեռակցման դիոդարտադրված Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor-ը լայնորեն կիրառվում է դիմադրողական եռակցման, միջին և բարձր հաճախականության եռակցման մեքենայի մեջ մինչև 2000Hz կամ ավելի բարձր:Ունենալով ծայրահեղ ցածր առաջ գագաթնակետային լարում, ծայրահեղ ցածր ջերմային դիմադրություն, արտադրության ժամանակակից տեխնոլոգիա, փոխարինման գերազանց կարողություն և կայուն կատարողականություն գլոբալ օգտագործողների համար, Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor-ի եռակցման դիոդը չինական հզորության ամենահուսալի սարքերից մեկն է: կիսահաղորդչային արտադրանք.

7b2fe59b4309965f7d2420828043e26 b0a98467d514938a3e9ce9caa04a1a1 ff2ea7a066ade614fecccf57c3c16b4


Հրապարակման ժամանակը՝ հունիս-14-2023