Եռակցման դիոդի արտադրության մեջ Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co-ի կողմից կիրառված նորմատիվ հղումները հետևյալն էին.
1. GB/T 4023—1997 կիսահաղորդչային սարքերի և ինտեգրված սխեմաների դիսկրետ սարքեր Մաս 2. ուղղիչ դիոդներ
2. GB/T 4937—1995 Կիսահաղորդչային սարքերի մեխանիկական և կլիմայական փորձարկման մեթոդներ
3. JB/T 2423—1999 Էլեկտրաէներգիայի կիսահաղորդչային սարքեր – Մոդելավորման մեթոդ
4. JB/T 4277—1996 Էլեկտրական կիսահաղորդչային սարքի փաթեթավորում
5. JB/T 7624—1994 Ուղղիչի դիոդի փորձարկման մեթոդ
Մոդել և չափս
1. Մոդելի անվանումը. Եռակցման դիոդի մոդելը վերաբերում է JB/T 2423-1999 կանոնակարգերին, և մոդելի յուրաքանչյուր մասի նշանակությունը ներկայացված է ստորև բերված Նկար 1-ում.
2. Գրաֆիկական նշաններ և տերմինալի (ենթակետ) նույնականացում
Գրաֆիկական նշանները և տերմինալի նույնականացումը ներկայացված են Նկար 2-ում, սլաքը ցույց է տալիս կաթոդի տերմինալը:
3. Ձևը և տեղադրման չափերը
Եռակցված դիոդի ձևը ուռուցիկ է և սկավառակի տեսակը, իսկ չափի ձևը պետք է համապատասխանի Նկար 3-ի և Աղյուսակ 1-ի պահանջներին:
| Նյութ | Չափը (մմ) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Կաթոդային եզր (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Կաթոդ և անոդ Mesa (D1) | 44±0.2 | 57±0.2 | 68±0,2 |
| Կերամիկական օղակի առավելագույն տրամագիծը (D2առավելագույնը) | 55.5 | 71.5 | 90 |
| Ընդհանուր հաստությունը (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Լեռան դիրքի անցք | Անցքի տրամագիծը՝ φ3,5±0,2 մմ, անցքի խորությունը՝ 1,5±0,3 մմ | ||
Վարկանիշներ և բնութագրեր
1. Պարամետրի մակարդակ
Հակադարձ կրկնվող գագաթնակետային լարման (VRRM) շարքը նշված է Աղյուսակ 2-ում
Աղյուսակ 2 Լարման մակարդակ
| VRRM(V) | 200 թ | 400 |
| Մակարդակ | 02 | 04 |
2. Սահմանային արժեքներ
Սահմանային արժեքները պետք է համապատասխանեն Աղյուսակ 3-ին և կիրառվեն ողջ աշխատանքային ջերմաստիճանի միջակայքում:
Աղյուսակ 3 Սահմանային արժեք
| Սահմանային արժեքը | Խորհրդանիշ | Միավոր | Արժեք | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Գործի ջերմաստիճանը | Tcase | ℃ | -40-85 | |||
| Միացման համարժեք ջերմաստիճան (առավելագույնը) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
| Պահպանման ջերմաստիճանը | Ծղ | ℃ | -40-170 | |||
| Կրկնվող գագաթնակետային հակադարձ լարում (առավելագույնը) | VRRM | V | 200/400 թթ | 200/400 թթ | 200/400 թթ | 200/400 թթ |
| Հակադարձ չկրկնվող գագաթնակետային լարումը (առավելագույնը | VRSM | V | 300/450 թթ | 300/450 թթ | 300/450 թթ | 300/450 թթ |
| Առաջադիմական միջին հոսանք (առավելագույնը) | IF (AV) | A | 7100 թ | 12000 թ | 16000 թ | 18000 թ |
| Առաջ (չկրկնվող) ալիքի հոսանք (առավելագույնը) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (առավելագույնը) | I²t | kA²s | 15100 թ | 36100 | 72000 | 91000 |
| Մոնտաժող ուժ | F | kN | 22-24 | 30-35 | 45-50 | 52-57 |
3. Բնութագրական արժեքներ
Աղյուսակ 4 Առավելագույն բնութագրական արժեքներ
| Բնավորություն և պայման | Խորհրդանիշ | Միավոր | Արժեք | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Առաջ գագաթնակետային լարման IFM=5000Ա, Տj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Հակադարձ կրկնվող գագաթնակետային հոսանք Tj=25℃, Տj=170℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Ջերմային դիմադրություն Միացում-պատյան | Rjc | ℃/ Վ | 0.01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Նշում. հատուկ պահանջների համար խնդրում ենք խորհրդակցել | ||||||
Այնեռակցման դիոդարտադրված Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor-ը լայնորեն կիրառվում է դիմադրողական եռակցման, միջին և բարձր հաճախականության եռակցման մեքենայի մեջ մինչև 2000Hz կամ ավելի բարձր:Ունենալով ծայրահեղ ցածր առաջ գագաթնակետային լարում, ծայրահեղ ցածր ջերմային դիմադրություն, արտադրության ժամանակակից տեխնոլոգիա, փոխարինման գերազանց կարողություն և կայուն կատարողականություն գլոբալ օգտագործողների համար, Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor-ի եռակցման դիոդը չինական հզորության ամենահուսալի սարքերից մեկն է: կիսահաղորդչային արտադրանք.
Հրապարակման ժամանակը՝ հունիս-14-2023