Չինաստան 2021 Բարձր որակի China Capsule Type High Voltage Phase Control Thyristor KP4200A6500V գործարան և մատակարարներ |Runau Electronics

2021 թվականի բարձրորակ Չինաստանի պարկուճի տեսակը Բարձր լարման փուլային կառավարման տիրիստոր KP4200A6500V Առաջարկվող պատկեր

2021 Բարձր որակի China Capsule Type Բարձր լարման փուլային կառավարման տիրիստոր KP4200A6500V

Կարճ նկարագրություն:

Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Մեր նպատակն է սովորաբար բավարարել մեր գնորդներին՝ առաջարկելով ոսկե մատակարար, մեծ գնով և լավ որակ 2021 թվականի համար Բարձր որակի China Capsule Type High Voltage Phase Control Thyristor KP4200A6500V, խնդրում ենք ուղարկել մեզ ձեր բնութագրերն ու պահանջները, կամ ազատ զգալ կապվել մեզ հետ ցանկացած հարցի կամ հարցումներ, որոնք դուք կարող եք ունենալ:
Մեր նպատակն է սովորաբար գոհացնել մեր գնորդներին՝ առաջարկելով ոսկե մատակարար, մեծ գներ և լավ որակՉինական բարձր հզորության ThytistorԱյս բոլոր աջակցությամբ մենք կարող ենք բարձր պատասխանատվությամբ սպասարկել յուրաքանչյուր հաճախորդի որակյալ ապրանք և ժամանակին առաքում:Լինելով երիտասարդ աճող ընկերություն՝ մենք գուցե լավագույնը չլինենք, բայց մենք ամեն ինչ արել ենք ձեր լավ գործընկերը լինելու համար:

Ֆազային կառավարման թրիստոր (ազատ լողացող տիպ)

Նկարագրություն:

Փոխարկիչ սարքավորումների, հատկապես HVDC փոխանցման հզորության և հզորության աճի հետ մեկտեղ, պահանջվում է համապատասխանաբար մեծացնել բլոկի թրիստորի ելքային հզորությունը, ինչը կնվազեցնի թրիստորի տեղադրման քանակը սերիական և զուգահեռ միացման շղթայում:Սարքի չափը և քաշը կնվազեն, ավելի քիչ ներդրումներ, նույնիսկ ընթացիկ և նույնիսկ լարումը հեշտությամբ կիրականացվեն, հուսալի շահագործումը և առևտրային արժեքը զգալիորեն կավելանան:

Ազատ լողացող սիլիկոնային տեխնոլոգիան, որն օգտագործվում է բարձր հզորության բարձր հոսանքի թրիստորների արտադրության համար, կբավարարի կիրառման բարձր ստանդարտ պահանջները:Իսկ 2019 թվականի հուլիսին RUNAU Electronics-ը հաջողությամբ մշակել է 5200 Վ թրիստոր 5 դյույմանոց չիպով և մատակարարվել հաճախորդին, որը կիրառել է Չինաստանի HVDC նախագծում:

Ներածություն:

1. Չիպ

RUNAU Electronics-ի կողմից արտադրված բարձր ստանդարտ թրիստորային չիպը կիրառվում է անվճար լողացող տեխնոլոգիայով:Սա բարձր հզորության բարձր լարման թրիստորների արտադրության ամենավերջին և հասուն տեխնոլոգիա է:Այն լայնորեն կիրառվում է համաշխարհային կարգի արտադրողների կողմից:

Դիֆուզիոն գործընթացը օպտիմիզացվել է խտությամբ և լայնությամբ՝ բարձրացնելու լարման դիմադրությունը, նվազեցնելու լարման անկումը և բարելավելու ձգանման և դինամիկ բնութագրերը:Ֆոտոլիտոգրաֆիայի նոր օրինաչափություն նախագծվել է di/dt և dv/dt ֆունկցիաները բարելավելու համար:Չիպի կոնտակտային կառուցվածքը վերակառուցվել է սիլիկոնային վաֆլի և կաթոդի մակերևույթի եզրերը պաշտպանելու համար, հակառակ լարման աշխատանքը զգալիորեն կբարելավվի:

2. Էկապսուլյացիա

Ազատ լողացող սիլիցիումի տեխնոլոգիայի առավելությունն այն է, որ սիլիցիումի և մոլիբդենի վաֆլի միջև դեֆորմացիան մեծապես զսպված է և մոլիբդենի վաֆլի սպառումը կրճատվում է:Մինչդեռ սիլիկոնային վաֆլի հարթությունը և փաթեթի պղնձի բլոկի հարթությունը խիստ պահանջված է, ինչպես նաև զուգահեռության և կոպտության պահանջները ավելի բարձր են, քան լեգիրման չիպային տեխնոլոգիան:Շարունակական կատարելագործմամբ և նորարարությամբ RUNAU Electronic-ը հաղթահարել է բոլոր տեխնիկական դժվարությունները և խոչընդոտները:Ազատ լողացող տեխնոլոգիան, բարձր հզորության բարձր լարման թրիստորը հուսալի կատարողականությամբ և կոմերցիոն արդյունավետ լուծումով մշակվել և տրամադրվել է հաճախորդներին:Դրանցից շատերը տեղադրված են բարձր հզորության կառավարվող ուղղիչի, բարձր լարման փափուկ մեկնարկի, HVDC էներգիայի փոխանցման, լոկոմոտիվային քարշի, դինամիկ ռեակտիվ հզորության փոխհատուցման և իմպուլսային էներգիայի կիրառման համակարգում:

Տեխնիկական բնութագրում

Ֆազային կառավարվող թրիստոր՝ համաձուլվածքի տիպի չիպով, արտադրված RUNAU Electronics-ի կողմից, շարք I_TAV350Ա-ից մինչև 5580Ա և Վ_DRM/V_RRM3400V-ից մինչև 8500V:
I_GT, Վ_GTեւ ես_Hփորձարկման արժեքներն են 25℃-ում, եթե այլ բան նշված չէ, մնացած բոլոր պարամետրերը T-ի տակ գտնվող փորձարկման արժեքներն են_jm;
I²t=I²F SM×tw/2, tw= Սինուսոիդային կես ալիքի հոսանքի բազայի լայնությունը:50 Հց հաճախականությամբ Ի²t=0,005I²FSM (Ա²S);
60 Հց հաճախականությամբ՝ I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,Տ_j=T_j;Ի²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Պարամետր:

ՏԻՊ	I_T(AV) A	T_C ℃	V_DRRM/V_RRM V	I_TSM @T_VJIM&10msA	I²t A²s	V_TM @I_T&T_J=25℃ Վ / Ա		T_jm ℃	R_jc ℃/Վտ	R_cs ℃/Վտ	F KN	m Kg	ԿՈԴ
Լարումը մինչև 4200 Վ
KP3170-**	3170 թ	70	3400-4200 թթ	52000	1.3×107	1.40	3000	125	0,008	0,002	70	1.45	T15C
KP4310-**	4310 թ	70	3400-4200 թթ	60000	1.8×107	1.30	3000	125	0,006	0,002	90	2.90	T17D
KP5580-**	5580 թ	70	3400-4200 թթ	90000	4.0 × 107	1.40	5000	125	0,004	0,001	120	3.60	T18D
Լարումը մինչև 5200 Վ
KP970-**	970 թ	70	4400~5200 թթ	13500 թ	9,1×105	2.70	2000 թ	125	0,022	0,005	22	0,60	T8C
KP2080-**	2080 թ	70	4400~5200 թթ	29200 թ	4.2×106	1.60	2000 թ	125	0,010	0,003	60	1.10	T13C
KP2780-**	2780 թ	70	4400~5200 թթ	42000	8,8 × 106	1.70	3000	125	0,008	0,002	70	1.45	T15C
KP3910-**	3910 թ	65	4400~5200 թթ	55000	1,5×107	1.50	3000	125	0,006	0,002	90	2.90	T17D
KP4750-**	4750 թ	70	4400~5200 թթ	8700 թ	3,7×107	1.50	5000	110	0,004	0,001	120	3.60	T18D
Լարումը մինչև 6600 Վ
KP350-**	350 թ	70	5800~6600 թթ	4500	1,0×105	2.20	500	125	0,039	0,008	10	0,33	T5C
KP730-**	730 թ	70	5800~6600 թթ	11800 թ	6,9×105	2.20	1000	125	0,022	0,005	22	0,60	T8C
KP1420-**	1420 թ	70	5800~6600 թթ	22400 թ	2,5×106	2.10	1500 թ	125	0,010	0,003	60	1.10	T13C
KP1800-**	1800 թ	70	5400-6600 թթ	32000	5,1×106	1.90	1600 թ	125	0,008	0,002	70	1.45	T15C
KP2810-**	2810 թ	70	5800~6600 թթ	45000	1.0 × 107	2.00	3000	125	0,006	0,002	90	2.90	T17D
KP4250-**	4250 թ	70	5800~6600 թթ	71400	2,5×107	1.70	3000	110	0,004	0,001	120	3.60	T18D
Լարումը մինչև 7200 Վ
KP300-**	300	70	6800-7200 թթ	3400 թ	5,8×104	2.40	500	115	0,039	0,008	10	0,40	T5D
KP640-**	640 թ	70	6800-7200 թթ	9000	4.0×105	2.30	1000	115	0,022	0,005	22	0,65	T8D
KP1150-**	1150 թ	70	6800-7200 թթ	18300 թ	1,6×106	2.40	1500 թ	115	0,010	0,003	60	1.30	T13D
KP1510-**	1510 թ	70	6800-7200 թթ	26000	3.3×106	2.00	1600 թ	115	0,008	0,002	70	1.85	T15D
KP2640-**	2640 թ	70	6800-7200 թթ	40000	8.0 × 106	1.50	1500 թ	115	0,006	0,002	90	2.90	T17D
Լարումը մինչև 8500 Վ
KP270-**	270 թ	70	7400-8500 թթ	2900 թ	4,2×104	2.80	500	115	0,045	0,008	10	0,40	T5D
KP580-**	580 թ	70	7400-8500 թթ	6000	1.8×105	2.60	1000	115	0,022	0,005	22	0,65	T8D
KP1080-**	1080 թ	70	7400-8500 թթ	11300 թ	6,3×105	2.80	1500 թ	115	0,010	0,003	60	1.30	T13D
KP1480-**	1480 թ	70	7400-8500 թթ	17000 թ	1,4×106	2.10	1600 թ	115	0,009	0,002	70	1.85	T15D

Մեր նպատակն է սովորաբար բավարարել մեր գնորդներին՝ առաջարկելով ոսկե մատակարար, մեծ գնով և լավ որակ 2021 թվականի համար Բարձր որակի China Capsule Type High Voltage Phase Control Thyristor Kp4200A6500V, Եթե ունեք որևէ հետաքրքիր կամ տեխնիկական բնութագրի պահանջ, խնդրում ենք ազատ զգալ կապվել մեզ հետ։ ցանկացած հարց կամ հարցում, որը դուք կարող եք ունենալ:
2021 բարձրորակ Չինաստանի բարձր էներգիայի փուլային կառավարման թիտիստոր այս բոլոր աջակցությամբ, մենք կարող ենք յուրաքանչյուր հաճախորդի սպասարկել որակյալ արտադրանքով և ժամանակին առաքմամբ՝ մեծ պատասխանատվությամբ:Yangjie Runau Semiconductor-ը երիտասարդ աճող ընկերություն է, մենք գուցե լավագույնը չենք, բայց մենք ամեն ինչ արել ենք ձեր լավ գործընկերը լինելու համար:

Նախորդը: Մեծածախ զեղչ Չինաստանի երկակի կողմի ավտոմատ մարտկոցի փաթեթի դիմադրության կետային զոդող

Հաջորդը: Քառակուսի թրիստորի չիպ

Գրեք ձեր հաղորդագրությունը այստեղ և ուղարկեք այն մեզ