Տիրիստոր չիպ
Տիրիստոր չիպ
RUNAU Electronics-ի կողմից արտադրված թրիստորային չիպն ի սկզբանե ներկայացվել է GE մշակման ստանդարտով և տեխնոլոգիայով, որը համապատասխանում է ԱՄՆ-ի կիրառման ստանդարտին և որակավորված է համաշխարհային հաճախորդների կողմից:Այն բնութագրվում է ուժեղ ջերմային հոգնածության դիմադրության բնութագրերով, երկար սպասարկման ժամկետով, բարձր լարման, մեծ հոսանքի, ուժեղ շրջակա միջավայրի հարմարվողականությամբ և այլն: 2010 թվականին RUNAU Electronics-ը մշակեց տիրիստորային չիպի նոր մոդել, որը միավորում էր GE-ի և եվրոպական տեխնոլոգիաների ավանդական առավելությունները, կատարումը և արդյունավետությունը մեծապես օպտիմիզացվել է:
Պարամետր:
| Տրամագիծը mm | Հաստություն mm | Լարման V | Գեյթ Դիա. mm | Կաթոդի ներքին դիա. mm | Կաթոդ դուրս Դիա. mm | Թջմ ℃ |
| 25.4 | 1,5±0,1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1.6-1.8 | 2200-3500 թթ | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29.72 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 թթ | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38.1 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
| 40 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33.9 | 125 |
| 40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 թթ | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2,3±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37.9 | 125 |
| 50.8 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43.3 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.9 | 2200-4200 թթ | 3.8 | 8.6 | 41.5 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.8 | 2600-3500 թթ | 3.3 | 7 | 41.5 | 125 |
| 55 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47.3 | 125 |
| 55 | 2.5-2.9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45.7 | 125 |
| 60 | 2.6-3.0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49.8 | 125 |
| 63.5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53.4 | 125 |
| 70 | 3.0-3.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59.9 | 125 |
| 76 | 3.5-4.1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65.1 | 125 |
| 89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77.7 | 125 |
| 99 | 4.5-4.8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87.7 | 125 |
Տեխնիկական բնութագրում.
RUNAU Electronics-ն ապահովում է ֆազային կառավարվող թրիստորի և արագ անջատիչ թրիստորի ուժային կիսահաղորդչային չիպեր:
1. Ցածր վիճակում գտնվող լարման անկում
2. Ալյումինե շերտի հաստությունը ավելի քան 10 միկրոն է
3. Կրկնաշերտ պաշտպանություն mesa
Tips:
1. Որպեսզի մնա ավելի լավ կատարողականություն, չիպը պետք է պահվի ազոտի կամ վակուումային վիճակում՝ կանխելու մոլիբդենի կտորների օքսիդացումից և խոնավությունից առաջացած լարման փոփոխությունը։
2. Միշտ մաքուր պահեք չիպի մակերեսը, խնդրում ենք կրել ձեռնոցներ և մերկ ձեռքերով չդիպչել չիպին
3. Զգուշորեն գործեք օգտագործման գործընթացում:Մի վնասեք չիպի խեժի եզրային մակերեսը և ալյումինե շերտը դարպասի և կաթոդի բևեռի տարածքում
4. Փորձարկման կամ ինկապսուլյացիայի ժամանակ խնդրում ենք նկատի ունենալ, որ ամրացման զուգահեռությունը, հարթությունը և սեղմիչ ուժը պետք է համընկնեն նշված ստանդարտների հետ:Վատ զուգահեռությունը կհանգեցնի անհավասար ճնշման և չիպի վնասմանը ուժով:Եթե սեղմիչի ավելորդ ուժը դրվի, չիպը հեշտությամբ կվնասվի:Եթե սեղմիչի պարտադրված ուժը չափազանց փոքր է, վատ շփումը և ջերմության ցրումը կազդեն կիրառման վրա:
5. Ճնշման բլոկը, որը շփվում է չիպի կաթոդի մակերեսի հետ, պետք է եռացնել
Առաջարկեք սեղմիչ ուժը
| Չիպսերի չափ | Ամրացուցիչ ուժի առաջարկություն |
| (KN)±10% | |
| Ֆ25.4 | 4 |
| Ֆ30 կամ Ֆ30.48 | 10 |
| Ֆ35 | 13 |
| Φ38 կամ Φ40 | 15 |
| Ֆ50.8 | 24 |
| Ֆ55 | 26 |
| Ֆ60 | 28 |
| Ֆ63.5 | 30 |
| Ֆ70 | 32 |
| Ֆ76 | 35 |
| Ֆ85 | 45 |
| Ֆ99 | 65 |