Քառակուսի թրիստորային չիպթրիստորային չիպ է և քառաշերտ կիսահաղորդչային կառուցվածք՝ երեք PN հանգույցներով, ներառյալ դարպասը, կաթոդը, սիլիկոնային վաֆլի և անոդը:
Կաթոդը, սիլիկոնային վաֆլի և անոդը բոլորը հարթ և քառակուսի են:Սիլիկոնային վաֆլի մի կողմը կցվում է կաթոդով, մյուս կողմը՝ անոդով, կաթոդի վրա բացվում է կապարի անցք, իսկ դարպասը դասավորված է անցքի մեջ։Դարպասի, կաթոդի և անոդի մակերեսը պատված են զոդման նյութով:Արտադրության հիմնական գործընթացները ներառում են՝ սիլիցիումային վաֆլի մաքրում, դիֆուզիոն, օքսիդացում, ֆոտոլիտոգրաֆիա, կոռոզիայից, պասիվացումից պաշտպանություն, մետաղացում, փորձարկում և խորանարդավորում:
Runau Semiconductor քառակուսի թրիստորային չիպը կրկնակի բացասական անկյան ձև ունի, պասիվացումը պաշտպանված է SIPOS+GLASS+LTO-ով, բաշխված ալյումինե դիֆուզիոն, հաստ ալյումինե շերտ, մետաղացված բազմաշերտ TiNiAg-ով կամ Al+TiNiAg-ով, ինչը թույլ է տալիս բարձր արդյունավետություն ցածր վիճակում: լարման անկում, բարձր արգելափակման լարում, հեշտ կապակցում և լայն կիրառություն ուժային մոդուլների արտադրության մեջ:
Runau Semiconductor քառակուսի թրիստորային չիպի առավելությունն այն է, որ չիպերի խորանարդի ընթացքում շատ քիչ մնացորդներ կան, ինչը կարող է խնայել նյութը, նվազեցնել ծախսերը և բարձր աստիճանի մեխանիզացիա արտադրության գործընթացում:Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co-ի կողմից արտադրված թրիստորի ուժային մոդուլները և թրիստորային ուղղիչի հիբրիդային էներգիայի մոդուլները բոլորն արտադրվում են ինքնաշեն թրիստորային չիպերով:Բոլոր չիպսերը կստուգվեն Gate պարամետրերով, On-state պարամետրերով, Off-state պարամետրերով և հարմարեցված պարամետրերով մինչև առաքումը:Էլեկտրաէներգիայի մոդուլի բնութագրերը լիովին վերահսկելի են:Կատարումը համարժեք է IXYS, ST, INFINION:
Հրապարակման ժամանակը` Հունվար-21-2022